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本文标题："IC封装制程焊接点显微结构检测金相显微镜"

发布者：yiyi ------ 分类: 行业动态 ------ 人浏览过-----时间：2013-5-5 21:52:9

电子构装金线接点破坏机构及显微组织分析

Au wire是许多传统IC封装制程中，用来连结chip与lead frame的桥樑。因应IC在使用过程中讯号电流的输入输出，

造成IC的局部过热，因此对于高温时效过程中，Au wire与Al pad接合微接点的可靠度研究是非常重要的。

不同的wire bond参数会造成高温时效后，Au-Al微接点morphology的不同。

良好的wire bond条件应该是Au wire与Al pad的有效接合面积既平整且残留的passive region愈少。

良好的wire bond条件会使Au wire与Al pad接合之微接点在高温时效过程陆续产生数种介金属化合物的消长。

探讨这些介金属反应层的消长机制将有助于了解微接点在时效过程的破坏机制。

此次研究将着重于三种不同成份的Au wire与Al pad接合后，在高温时效所产生的介金属反应层成长机制做逐步分析探讨，这三种wire为pure Au wire、添加微量Pd元素的Au wire及添加微量Cu元素的Au wire。

另外研究过程中，因部份参数的不同，也会造成一些不同的Au-Al微接点morphology行为，如不同的封装树脂，或是在Au wire中添加不同杂质含量，或是改变Al pad厚度…等等。

为了改善金铝微接点的可靠度，了解不同合金的物理及扩散成长行为，将有助于对此次研究的探讨，

以提昇产品在市场上的信赖。

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