本文标题："由于在1大气压下不论是碳或碳化硅都不熔融-材料显微镜"
发布者：yiyi ------ 分类: 行业动态 ------
人浏览过-----时间：2015-12-13 4:39:46
由于在1大气压下不论是碳或碳化硅都不熔融-材料显微镜
最近的硅——锗
合金系的电性测量证明了硅——锗合金的半导体性能表现出在
单质间的平滑变化关系，合金半导体的存在，其中禁带宽度可能
随成分而改变，这对于半导体工作者有着相当大的意义，并且能
够用以制得其他途径所不能制成的器件。
硅——锗
实际上，鉴于碳化硅的形成自由能很小，固相碳化锗的不稳定
性是不足为奇的，这是固体硅与碳的高的键能的结果，于是锗-
碳键能只要稍小于碳化硅时。则不致出现固相碳化锗。
碳化锗中或碳锗在碳中都没有固溶体，在锗锭中有万分这之几
的碳，但是他不骨确定这些数量的碳是溶解于锗晶格中或以第二
相包襄物存在。
无碳化锗固体存在并不妨碍在碳化硅晶格内的硅原子大量被锗
取代，三元相图文并茂假定锗取代了碳化硅中一部分硅，碳化硅
-碳化锗泥溶的可能性导致考虑在三元系中一组新的有意义的半
导体材料。
任何三元系的最可行的研究方法是研究任意成分点的均匀液相
的冷却试样，但由于在1大气压下不论是碳或碳化硅都不熔融，
所以这个通常的研究方法对于三元系的大部分区域都不可能适用
，而应用一般设计的炉子内所能获得的中等程度的压力将会使三
元系中液相区域显著地扩大。
另外一个应当采取的研究途径是借用扩散实验研究极限溶解度
与扩散系数，这种实验技术是众所周知的，与制备半导体器件所
采用的技术相似，从冶金学的观点出发，研究硅、锗与碳在碳化
硅中的扩散作用应当是极有意义的，同时也为设计碳化硅或碳化
锗硅半导体器件提供了所需要的资料。
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